Introduzione alla sezione del volume dedicata alla simulazione dei transistori nanometrici.
E.Sangiorgi (2010). Advanced Modeling and Simulation for Nano-MOSFETS and Beyond-CMOS Devices. HOBOKEN, NJ : John Wiley & Son, Inc..
Advanced Modeling and Simulation for Nano-MOSFETS and Beyond-CMOS Devices
SANGIORGI, ENRICO
2010
Abstract
Introduzione alla sezione del volume dedicata alla simulazione dei transistori nanometrici.File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.