Beam test results of different configurations of deep N-well MAPS matrices featuring in pixel full signal processing

Paoloni, E.; Avanzini, C.; Batignani, G.; Bettarini, S.; Bosi, F.; Calderini, G.; Casarosa, G.; Ceccanti, M.; Cenci, R.; Cervelli, A.; Crescioli, F.; Dell'Orso, M.; Forti, F.; Giannetti, P.; Giorgi, M. A.; Lusiani, A.; Gregucci, S.; Mammini, P.; Marchiori, G.; Massa, M.; Morsani, F.; Neri, N.; Piendibene, M.; Profeti, A.; Rizzo, G.; Sartori, L.; Walsh, J.; Yurtsev, E.; Manghisoni, M.; Re, V.; Traversi, G.; Bruschi, M.; DI SIPIO, RICCARDO; GIACOBBE, BENEDETTO; GABRIELLI, ALESSANDRO; GIORGI, FILIPPO MARIA; Pellegrini, G.; SBARRA, CARLA; SEMPRINI CESARI, NICOLA; SPIGHI, ROBERTO; VALENTINETTI, SARA; VILLA, MAURO; ZOCCOLI, ANTONIO; Citterio, M.; Liberali, V.; Palombo, F.; Andreoli, C.; Gaioni, L.; Pozzati, E.; Ratti, L.; Speziali, V.; Gamba, D.; Giraudo, G.; Mereu, P.; Dalla Betta, G. F.; Soncini, G.; Fontana, G.; Bomben, M.; Bosisio, L.; Cristaudo, P.; Giacomini, G.; Jugovaz, D.; Lanceri, L.; Rashevskaya, I.; Vitale, L.; Venier, G.

doi:10.1016/j.nima.2010.06.325

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We report on further developments of our proposed design approach for a full in-pixel signal processing chain of deep N-well monolithic active pixel sensor, by exploiting the triple well option of a CMOS 130 nm process. Two different geometries of the collecting electrode (namely “Apsel 3T1 M1” and “Apsel 3T1 M2” ) was implemented to compare their charge collection efficiency. The results of the characterization of the various versions of pixel matrices with a pion beam of 120 GeV/c at the SPS H6 CERN facility will be presented. The performances of an “Apsel 3T1” chip irradiated with a dose up to 10 MRad (Co60) was also measured. Comparison will be presented among the irradiated and the new chip showing the impact of radiation damages on tracking efficiencies.

Titolo:	Beam test results of different configurations of deep N-well MAPS matrices featuring in pixel full signal processing
Autore/i:	E. Paoloni; C. Avanzini; G. Batignani; S. Bettarini; F. Bosi; G. Calderini; G. Casarosa; M. Ceccanti; R. Cenci; A. Cervelli; F. Crescioli; M. Dell'Orso; F. Forti; P. Giannetti; M. A. Giorgi; A. Lusiani; S. Gregucci; P. Mammini; G. Marchiori; M. Massa; F. Morsani; N. Neri; M. Piendibene; A. Profeti; G. Rizzo; L. Sartori; J. Walsh; E. Yurtsev; M. Manghisoni; V. Re; G. Traversi; M. Bruschi; DI SIPIO, RICCARDO; GIACOBBE, BENEDETTO; GABRIELLI, ALESSANDRO; GIORGI, FILIPPO MARIA; G. Pellegrini; SBARRA, CARLA; SEMPRINI CESARI, NICOLA; SPIGHI, ROBERTO; VALENTINETTI, SARA; VILLA, MAURO; ZOCCOLI, ANTONIO; M. Citterio; V. Liberali; F. Palombo; C. Andreoli; L. Gaioni; E. Pozzati; L. Ratti; V. Speziali; D. Gamba; G. Giraudo; P. Mereu; G. F. Dalla Betta; G. Soncini; G. Fontana; M. Bomben; L. Bosisio; P. Cristaudo; G. Giacomini; D. Jugovaz; L. Lanceri; I. Rashevskaya; L. Vitale; G. Venier
Autore/i Unibo:	E. Paoloni C. Avanzini G. Batignani S. Bettarini F. Bosi G. Calderini G. Casarosa M. Ceccanti R. Cenci A. Cervelli F. Crescioli M. Dell'Orso F. Forti P. Giannetti M. A. Giorgi A. Lusiani S. Gregucci P. Mammini G. Marchiori M. Massa F. Morsani N. Neri M. Piendibene A. Profeti G. Rizzo L. Sartori J. Walsh E. Yurtsev M. Manghisoni V. Re G. Traversi M. Bruschi DI SIPIO, RICCARDO GIACOBBE, BENEDETTO GABRIELLI, ALESSANDRO GIORGI, FILIPPO MARIA G. Pellegrini SBARRA, CARLA SEMPRINI CESARI, NICOLA SPIGHI, ROBERTO VALENTINETTI, SARA VILLA, MAURO ZOCCOLI, ANTONIO M. Citterio V. Liberali F. Palombo C. Andreoli L. Gaioni E. Pozzati L. Ratti V. Speziali D. Gamba G. Giraudo P. Mereu G. F. Dalla Betta G. Soncini G. Fontana M. Bomben L. Bosisio P. Cristaudo G. Giacomini D. Jugovaz L. Lanceri I. Rashevskaya L. Vitale G. Venier mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Anno:	2011
Rivista:	NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT
Digital Object Identifier (DOI):	10.1016/j.nima.2010.06.325
Abstract:	We report on further developments of our proposed design approach for a full in-pixel signal processing chain of deep N-well monolithic active pixel sensor, by exploiting the triple well option of a CMOS 130 nm process. Two different geometries of the collecting electrode (namely “Apsel 3T1 M1” and “Apsel 3T1 M2” ) was implemented to compare their charge collection efficiency. The results of the characterization of the various versions of pixel matrices with a pion beam of 120 GeV/c at the SPS H6 CERN facility will be presented. The performances of an “Apsel 3T1” chip irradiated with a dose up to 10 MRad (Co60) was also measured. Comparison will be presented among the irradiated and the new chip showing the impact of radiation damages on tracking efficiencies.
Data prodotto definitivo in UGOV:	2013-05-15 17:25:15
Appare nelle tipologie:	1.01 Articolo in rivista

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http://hdl.handle.net/11585/91723

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