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We theoretically describe in this work the n-type semiconducting behavior of a set of bis(arylene-ethynylene)-s-tetrazines ((ArCC)<inf>2</inf>Tz), by comparing their electronic properties with those of their parent diaryl-s-tetrazines (Ar<inf>2</inf>Tz) after the introduction of ethynylene bridges. The significantly reduced internal reorganization energy for electron transfer is ascribed to an extended delocalization of the LUMO for (ArCC)<inf>2</inf>Tz as opposite to that for Ar<inf>2</inf>Tz, which was described mostly localized on the s-tetrazine ring. The largest electronic coupling and the corresponding electron transfer rates found for bis(phenyl-ethynylene)-s-tetrazine, as well as for some halogenated derivatives, are comparable to those reported for the best performing n-type organic semiconductor materials such as diimides and perylenes. The theoretical mobilities for the studied compounds turn out to be in the range 0.3-1.3 cm<sup>2</sup> V<sup>-1</sup> s<sup>-1</sup>, close to values experimentally determined for common n-type organic semiconductors used in real devices. In addition, ohmic contacts can be expected when these compounds are coupled to metallic cathodes such as Na, Ca, and Sm. For these reasons, the future application of semiconducting bis(phenyl-ethynylene)-s-tetrazine and its fluorinated and brominated derivatives in optoelectronic devices is envisioned.
Moral, M., Garzón, A., Yoann, O., Muccioli, L., Sancho García, J.C., Granadino Roldán, J.M., et al. (2015). Bis(arylene-ethynylene)-s-tetrazines: A Promising Family of n-Type Organic Semiconductors?. JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY. C, 119(33), 18945-18955 [10.1021/acs.jpcc.5b05015].
Bis(arylene-ethynylene)-s-tetrazines: A Promising Family of n-Type Organic Semiconductors?
Moral, Mónica;Garzón, Andrés;YOANN, OLIVIER;MUCCIOLI, LUCA;Sancho García, Juan Carlos;Granadino Roldán, José M.;Fernández Gómez, Manuel
2015
Abstract
We theoretically describe in this work the n-type semiconducting behavior of a set of bis(arylene-ethynylene)-s-tetrazines ((ArCC)2Tz), by comparing their electronic properties with those of their parent diaryl-s-tetrazines (Ar2Tz) after the introduction of ethynylene bridges. The significantly reduced internal reorganization energy for electron transfer is ascribed to an extended delocalization of the LUMO for (ArCC)2Tz as opposite to that for Ar2Tz, which was described mostly localized on the s-tetrazine ring. The largest electronic coupling and the corresponding electron transfer rates found for bis(phenyl-ethynylene)-s-tetrazine, as well as for some halogenated derivatives, are comparable to those reported for the best performing n-type organic semiconductor materials such as diimides and perylenes. The theoretical mobilities for the studied compounds turn out to be in the range 0.3-1.3 cm2 V-1 s-1, close to values experimentally determined for common n-type organic semiconductors used in real devices. In addition, ohmic contacts can be expected when these compounds are coupled to metallic cathodes such as Na, Ca, and Sm. For these reasons, the future application of semiconducting bis(phenyl-ethynylene)-s-tetrazine and its fluorinated and brominated derivatives in optoelectronic devices is envisioned.
Moral, M., Garzón, A., Yoann, O., Muccioli, L., Sancho García, J.C., Granadino Roldán, J.M., et al. (2015). Bis(arylene-ethynylene)-s-tetrazines: A Promising Family of n-Type Organic Semiconductors?. JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY. C, 119(33), 18945-18955 [10.1021/acs.jpcc.5b05015].
Moral, Mónica; Garzón, Andrés; Yoann, Olivier; Muccioli, Luca; Sancho García, Juan Carlos; Granadino Roldán, José M.; Fernández Gómez, Manuel...espandi
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2023-2025 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.