VOLOSOV, VLADISLAV
 Distribuzione geografica
Continente #
AS - Asia 190
EU - Europa 61
NA - Nord America 26
SA - Sud America 9
AF - Africa 3
Totale 289
Nazione #
CN - Cina 78
SG - Singapore 47
DE - Germania 27
US - Stati Uniti d'America 25
JP - Giappone 23
KR - Corea 23
IT - Italia 21
BR - Brasile 7
HK - Hong Kong 7
VN - Vietnam 6
IN - India 4
NL - Olanda 4
FI - Finlandia 3
AR - Argentina 2
FR - Francia 2
SC - Seychelles 2
AL - Albania 1
AT - Austria 1
CA - Canada 1
CI - Costa d'Avorio 1
GB - Regno Unito 1
MY - Malesia 1
RU - Federazione Russa 1
TW - Taiwan 1
Totale 289
Città #
Hefei 41
Singapore 32
Frankfurt am Main 24
Seoul 22
Tokyo 16
Santa Clara 8
Bologna 7
Hong Kong 7
Cesena 6
Tianjin 6
Ashburn 4
Milan 4
Beijing 3
Bengaluru 3
Los Angeles 3
Boardman 2
Guangzhou 2
Hanoi 2
Munich 2
Redondo Beach 2
San Giorgio di Piano 2
São Paulo 2
Tongling 2
Turku 2
Abidjan 1
Amsterdam 1
Berazategui 1
Biên Hòa 1
Boa Vista 1
Bình Dương 1
Chengdu 1
Chennai 1
Chicago 1
Delft 1
Falkenstein 1
Fier 1
Formigine 1
Handan 1
Helsinki 1
Ho Chi Minh City 1
Hsinchu 1
London 1
Nova Iguaçu 1
Petrolina 1
Posadas 1
Quận Bảy 1
Reggio Emilia 1
Roubaix 1
Saitama 1
Salt Lake City 1
Santo André 1
Shenzhen 1
Sobral 1
Subang Jaya 1
Toronto 1
Yubileyny 1
Totale 236
Nome #
Positive Bias Temperature Instability in SiC-Based Power MOSFETs 181
Role of interface/border traps on the threshold voltage instability of SiC power transistors 117
Totale 298
Categoria #
all - tutte 621
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 621


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2023/20246 0 0 0 0 0 0 1 2 1 2 0 0
2024/2025170 1 2 11 8 15 2 12 28 23 21 19 28
2025/2026122 26 40 23 22 9 2 0 0 0 0 0 0
Totale 298