VOLOSOV, VLADISLAV
VOLOSOV, VLADISLAV
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA DELL'ENERGIA ELETTRICA E DELL'INFORMAZIONE "GUGLIELMO MARCONI"
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Positive Bias Temperature Instability in SiC-Based Power MOSFETs
2024 Volosov V.; Bevilacqua S.; Anoldo L.; Tosto G.; Fontana E.; Russo A.-L.; Fiegna C.; Sangiorgi E.; Tallarico A.N.
Role of interface/border traps on the threshold voltage instability of SiC power transistors
2023 Volosov V.; Cascino S.; Saggio M.; Imbruglia A.; Di Giovanni F.; Fiegna C.; Sangiorgi E.; Tallarico A.N.
| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Positive Bias Temperature Instability in SiC-Based Power MOSFETs | Volosov V.; Bevilacqua S.; Anoldo L.; Tosto G.; Fontana E.; Russo A.-L.; Fiegna C.; Sangiorgi E.;... Tallarico A.N. | 2024-01-01 | MICROMACHINES | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
| Role of interface/border traps on the threshold voltage instability of SiC power transistors | Volosov V.; Cascino S.; Saggio M.; Imbruglia A.; Di Giovanni F.; Fiegna C.; Sangiorgi E.; Tallari...co A.N. | 2023-01-01 | SOLID-STATE ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | post_print_INFOS_SSE.pdf |