CARANGELO, GRETA
CARANGELO, GRETA
DIN - DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA INDUSTRIALE
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Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
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TCAD modeling of bias temperature instabilities in SiC MOSFETs | Carangelo G.; Reggiani S.; Consentino G.; Crupi F.; Meneghesso G. | 2021-01-01 | SOLID-STATE ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | 1-s2.0-S003811012100112X-main.pdf |