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Theoretical analyses and modeling for nanoelectronics
2015 Baccarani, G.; Baravelli, E.; Gnani, E.; Gnudi, A.; Reggiani, S.
Capacitance estimation for InAs Tunnel FETs by means of full-quantum k.p simulation
2015 Gnani, E.; Baravelli, E.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Baccarani, G.
Steep-slope devices: Prospects and challenges
2016 Gnani, Elena; Baravelli, Emanuele; Maiorano, Pasquale; Gnudi, Antonio; Reggiani, Susanna; Baccarani, Giorgio
| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Theoretical analyses and modeling for nanoelectronics | Baccarani, G.; Baravelli, E.; Gnani, E.; Gnudi, A.; Reggiani, S. | 2015-01-01 | - | IEEE Computer Society | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| Capacitance estimation for InAs Tunnel FETs by means of full-quantum k.p simulation | Gnani, E.; Baravelli, E.; Gnudi, A.; Reggiani, S.; Baccarani, G. | 2015-01-01 | SOLID-STATE ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
| Steep-slope devices: Prospects and challenges | Gnani, Elena; Baravelli, Emanuele; Maiorano, Pasquale; Gnudi, Antonio; Reggiani, Susanna; Baccara...ni, Giorgio | 2016-01-01 | JOURNAL OF NANO RESEARCH | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
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