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TCAD degradation modeling for LDMOS transistors
2012 S. Reggiani; G. Barone; E. Gnani; A. Gnudi; S. Poli; M.-Y. Chuang; W. Tian; R. Wise
Predictive TCAD Approach for the Analysis of Hot-Carrier-Stress Degradation in Integrated STI-based LDMOS Transistors
2012 S. Reggiani; G. Barone; S. Poli; M.-Y. Chuang; W. Tian
TCAD predictions of linear and saturation HCS degradation in STI-based LDMOS transistors stressed in the impact-ionization regime
2013 S. Reggiani;G. Barone;E. Gnani;A. Gnudi;G. Baccarani;S. Poli;M.-Y. Chuang;W. Tian;R. Wise
Characterization and modeling of high-voltage LDMOS transistors
2015 Reggiani, Susanna; Barone, Gaetano; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio; Poli, Stefano; Wise, Rick; Chuang, Ming-Yeh; Tian, Weidong; Pendharkar, Sameer; Denison, Marie
Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
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TCAD degradation modeling for LDMOS transistors | S. Reggiani; G. Barone; E. Gnani; A. Gnudi; S. Poli; M.-Y. Chuang; W. Tian; R. Wise | 2012-01-01 | - | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
Predictive TCAD Approach for the Analysis of Hot-Carrier-Stress Degradation in Integrated STI-based LDMOS Transistors | S. Reggiani; G. Barone; S. Poli; M.-Y. Chuang; W. Tian | 2012-01-01 | - | s.n | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
TCAD predictions of linear and saturation HCS degradation in STI-based LDMOS transistors stressed in the impact-ionization regime | S. Reggiani;G. Barone;E. Gnani;A. Gnudi;G. Baccarani;S. Poli;M.-Y. Chuang;W. Tian;R. Wise | 2013-01-01 | - | - | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
Characterization and modeling of high-voltage LDMOS transistors | Reggiani, Susanna; Barone, Gaetano; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio; Poli, Stefa...no; Wise, Rick; Chuang, Ming-Yeh; Tian, Weidong; Pendharkar, Sameer; Denison, Marie | 2015-01-01 | - | Springer International Publishing | 2.01 Capitolo / saggio in libro | - |
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