È proseguita l’attività di ricerca sui disturbi irradiati da SMPS (switched-mode power supplies) a bassa frequenza (9 kHz – 30 MHz). I disturbi emessi da un SMPS possono essere adeguatamente predetti e stimati una volta modellati le sorgenti di interferenza elettromagnetica (EMI), i meccanismi di accoppiamento e le loro relazioni con la geometria dei circuiti sorgente e vittima. Le correnti nel primario e nel secondario del trasformatore di un SMPS (circuito sorgente) danno luogo ad un accoppiamento di campo magnetico o induttivo con il circuito vittima, mentre le tensioni fra il dissipatore di ciascun dispositivo elettronico di potenza ed il piano di massa del SMPS (circuito sorgente) generano un accoppiamento di campo elettrico o capacitivo con il circuito vittima. Gli accoppiamenti di campo elettrico e magnetico possono essere descritti tramite due doppi-bipoli rappresentati in termini di impedenze di circuito aperto e di ammettenze di corto circuito. Il punto focale dell’attività di ricerca svolta ha riguardato il calcolo dei parametri di tali doppi-bipoli.
U. Reggiani, L. Sandrolini, G.L. Giuliattini Burbui (2007). Interferenze elettromagnetiche da SMPS. FIRENZE : Università degli Studi di Firenze.
Interferenze elettromagnetiche da SMPS
REGGIANI, UGO;SANDROLINI, LEONARDO;
2007
Abstract
È proseguita l’attività di ricerca sui disturbi irradiati da SMPS (switched-mode power supplies) a bassa frequenza (9 kHz – 30 MHz). I disturbi emessi da un SMPS possono essere adeguatamente predetti e stimati una volta modellati le sorgenti di interferenza elettromagnetica (EMI), i meccanismi di accoppiamento e le loro relazioni con la geometria dei circuiti sorgente e vittima. Le correnti nel primario e nel secondario del trasformatore di un SMPS (circuito sorgente) danno luogo ad un accoppiamento di campo magnetico o induttivo con il circuito vittima, mentre le tensioni fra il dissipatore di ciascun dispositivo elettronico di potenza ed il piano di massa del SMPS (circuito sorgente) generano un accoppiamento di campo elettrico o capacitivo con il circuito vittima. Gli accoppiamenti di campo elettrico e magnetico possono essere descritti tramite due doppi-bipoli rappresentati in termini di impedenze di circuito aperto e di ammettenze di corto circuito. Il punto focale dell’attività di ricerca svolta ha riguardato il calcolo dei parametri di tali doppi-bipoli.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
