L’ attività è stata dedicata dapprima allo studio dei campioni di 4H SI- SiC samples di differente provenienza (CREE Research Inc. and Okmetic) e quindi a quello di una serie di campioni di 4H-SiC epitassiale irraggiati con neutroni e protoni. La caratterizzazione è stata condotta con misure di fotocorrente per determinare i valori di lunghezza di diffusione, Ld, usando il set-up descritto in bibliografia (1) e con misure di fotoluminescenza a bassa temperatura. Inoltre sono state compiute analisi di spettroscopia a giunzione (Deep Level Transient Spectroscopy, DLTS, per i campioni semiconduttori e Photo-Induced Current Transient Spectroscopy (PICTS)fino a 650 K per i campioni con alta resistività , per individuare i livelli elettronici che controllano le proprietà di trasporto e quindi l'efficienza di raccolta dei rivelatori.

SVILUPPO DI UN SISTEMA INTEGRATO SiC/GaN RIVELATORE/FRONT-END PER SPETTROMETRIA DI RADIAZIONI IONIZZANTI A TEMPERATURA AMBIENTE E AD ALTE TEMPERATURE / Bertuccio G.; Cavallini A. ; Nava F.; Vittone E.. - (2004).

SVILUPPO DI UN SISTEMA INTEGRATO SiC/GaN RIVELATORE/FRONT-END PER SPETTROMETRIA DI RADIAZIONI IONIZZANTI A TEMPERATURA AMBIENTE E AD ALTE TEMPERATURE

CAVALLINI, ANNA;
2004

Abstract

L’ attività è stata dedicata dapprima allo studio dei campioni di 4H SI- SiC samples di differente provenienza (CREE Research Inc. and Okmetic) e quindi a quello di una serie di campioni di 4H-SiC epitassiale irraggiati con neutroni e protoni. La caratterizzazione è stata condotta con misure di fotocorrente per determinare i valori di lunghezza di diffusione, Ld, usando il set-up descritto in bibliografia (1) e con misure di fotoluminescenza a bassa temperatura. Inoltre sono state compiute analisi di spettroscopia a giunzione (Deep Level Transient Spectroscopy, DLTS, per i campioni semiconduttori e Photo-Induced Current Transient Spectroscopy (PICTS)fino a 650 K per i campioni con alta resistività , per individuare i livelli elettronici che controllano le proprietà di trasporto e quindi l'efficienza di raccolta dei rivelatori.
2004
SVILUPPO DI UN SISTEMA INTEGRATO SiC/GaN RIVELATORE/FRONT-END PER SPETTROMETRIA DI RADIAZIONI IONIZZANTI A TEMPERATURA AMBIENTE E AD ALTE TEMPERATURE / Bertuccio G.; Cavallini A. ; Nava F.; Vittone E.. - (2004).
Bertuccio G.; Cavallini A. ; Nava F.; Vittone E.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/42092
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