L’attività del progetto ha esteso il lavoro svolto nelle precedenti collaborazioni bilaterali. Nell’ultima annualità in particolare è stato concluso lo studio di HEMTs basati su (Al)GaN prodotti in NTT, in accordo con lo sviluppo temporale originario del progetto. Durante il 2006 l’attività di ricerca è stata anche rivolta allo sviluppo di nuove collaborazioni con altri gruppi italiani e giapponesi, con particolare riguardo allo studio di nanomateriali di interesse comune ed allo sviluppo di metodologie d’indagine adatte alle nuove tematiche.
Anna Cavallini, Giancarlo Salviati, Takashi Sekiguchi (2012). Gallium Nitride devices for applications in high-power, high-frequency, high-temperature telecommunication systems and for high efficiency lighting systems.
Gallium Nitride devices for applications in high-power, high-frequency, high-temperature telecommunication systems and for high efficiency lighting systems
CAVALLINI, ANNA;
2012
Abstract
L’attività del progetto ha esteso il lavoro svolto nelle precedenti collaborazioni bilaterali. Nell’ultima annualità in particolare è stato concluso lo studio di HEMTs basati su (Al)GaN prodotti in NTT, in accordo con lo sviluppo temporale originario del progetto. Durante il 2006 l’attività di ricerca è stata anche rivolta allo sviluppo di nuove collaborazioni con altri gruppi italiani e giapponesi, con particolare riguardo allo studio di nanomateriali di interesse comune ed allo sviluppo di metodologie d’indagine adatte alle nuove tematiche.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
