L'obiettivo del progetto riguarda lo studio dei dispositivi ad alta mobilita' basati su eterostrutture cresciute su fosfuro di indio (InP) e relativi composti (InGaAs, InAlAs). Gli High Electron Mobility Transistor (HEMT) su InP sono attualmente i dispositivi elettronici piu' veloci (con frequenze di taglio superiori a 300 GHz) e rappresentano quindi i componenti di riferimento per circuiti di comunicazione su fibra ottica operanti sopra i 40 Gbps, per reti locali wireless e per sistemi di comunicazione satellitare a larghissima banda, per i ricevitori a bassissimo rumore per radioastronomia. La rete di ricercatori si propone di studiare le caratteristiche, le prestazioni e l'affidabilita' di HEMT con gate submicrometrico fabbricati da NTT (Japan), e di correlare queste con le proprieta' dei materiali e con i processi di fabbricazione.
Indium phosphide high mobility heterostructure devices (HEMT, High Electron Mobility Transistors) for integrated circuits and microwave with very wide band
CAVALLINI, ANNA;
2004
Abstract
L'obiettivo del progetto riguarda lo studio dei dispositivi ad alta mobilita' basati su eterostrutture cresciute su fosfuro di indio (InP) e relativi composti (InGaAs, InAlAs). Gli High Electron Mobility Transistor (HEMT) su InP sono attualmente i dispositivi elettronici piu' veloci (con frequenze di taglio superiori a 300 GHz) e rappresentano quindi i componenti di riferimento per circuiti di comunicazione su fibra ottica operanti sopra i 40 Gbps, per reti locali wireless e per sistemi di comunicazione satellitare a larghissima banda, per i ricevitori a bassissimo rumore per radioastronomia. La rete di ricercatori si propone di studiare le caratteristiche, le prestazioni e l'affidabilita' di HEMT con gate submicrometrico fabbricati da NTT (Japan), e di correlare queste con le proprieta' dei materiali e con i processi di fabbricazione.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
