L'obiettivo del progetto riguarda lo studio dei dispositivi ad alta mobilita' basati su eterostrutture cresciute su fosfuro di indio (InP) e relativi composti (InGaAs, InAlAs). Gli High Electron Mobility Transistor (HEMT) su InP sono attualmente i dispositivi elettronici piu' veloci (con frequenze di taglio superiori a 300 GHz) e rappresentano quindi i componenti di riferimento per circuiti di comunicazione su fibra ottica operanti sopra i 40 Gbps, per reti locali wireless e per sistemi di comunicazione satellitare a larghissima banda, per i ricevitori a bassissimo rumore per radioastronomia. La rete di ricercatori si propone di studiare le caratteristiche, le prestazioni e l'affidabilita' di HEMT con gate submicrometrico fabbricati da NTT (Japan), e di correlare queste con le proprieta' dei materiali e con i processi di fabbricazione.
A. Cavallini, G Salviati, Yoshio Itaya (2004). Indium phosphide high mobility heterostructure devices (HEMT, High Electron Mobility Transistors) for integrated circuits and microwave with very wide band.
Indium phosphide high mobility heterostructure devices (HEMT, High Electron Mobility Transistors) for integrated circuits and microwave with very wide band
CAVALLINI, ANNA;
2004
Abstract
L'obiettivo del progetto riguarda lo studio dei dispositivi ad alta mobilita' basati su eterostrutture cresciute su fosfuro di indio (InP) e relativi composti (InGaAs, InAlAs). Gli High Electron Mobility Transistor (HEMT) su InP sono attualmente i dispositivi elettronici piu' veloci (con frequenze di taglio superiori a 300 GHz) e rappresentano quindi i componenti di riferimento per circuiti di comunicazione su fibra ottica operanti sopra i 40 Gbps, per reti locali wireless e per sistemi di comunicazione satellitare a larghissima banda, per i ricevitori a bassissimo rumore per radioastronomia. La rete di ricercatori si propone di studiare le caratteristiche, le prestazioni e l'affidabilita' di HEMT con gate submicrometrico fabbricati da NTT (Japan), e di correlare queste con le proprieta' dei materiali e con i processi di fabbricazione.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
