A new modeling approach has been developed for the accurate prediction of the dynamic drain current of GaN FETs. This is accomplished by separation of the low (LF) and high (HF) frequency transistor dynamic behavior.

Electro-Thermal Characterization And Compact Modelling of GaN HEMTs for Microwave Applications

SANTARELLI, ALBERTO;CIGNANI, RAFAEL;NIESSEN, DANIEL;FILICORI, FABIO
2011

Abstract

A new modeling approach has been developed for the accurate prediction of the dynamic drain current of GaN FETs. This is accomplished by separation of the low (LF) and high (HF) frequency transistor dynamic behavior.
Atti della 43a Riunione Annuale del Gruppo Elettronica (GE2011)
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94
A. Santarelli; R. Cignani; D. Niessen; S. D’Angelo; F. Filicori
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