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EnglishA new modeling approach has been developed for the accurate prediction of the dynamic drain current of GaN FETs. This is accomplished by separation of the low (LF) and high (HF) frequency transistor dynamic behavior.
| Titolo: | Electro-Thermal Characterization And Compact Modelling of GaN HEMTs for Microwave Applications |
| Autore/i: | SANTARELLI, ALBERTO; CIGNANI, RAFAEL; NIESSEN, DANIEL; S. D’Angelo; FILICORI, FABIO |
| Autore/i Unibo: | |
| Anno: | 2011 |
| Titolo del libro: | Atti della 43a Riunione Annuale del Gruppo Elettronica (GE2011) |
| Pagina iniziale: | 93 |
| Pagina finale: | 94 |
| Abstract: | A new modeling approach has been developed for the accurate prediction of the dynamic drain current of GaN FETs. This is accomplished by separation of the low (LF) and high (HF) frequency transistor dynamic behavior. |
| Data prodotto definitivo in UGOV: | 28-giu-2013 |
| Appare nelle tipologie: | 4.02 Riassunto (Abstract) |
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