MENEGHESSO, GAUDENZIO

MENEGHESSO, GAUDENZIO  

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Titolo Autore(i) Anno Periodico Editore Tipo File
Numerical investigation of the lateral and vertical leakage currents and breakdown regimes in GaN-on-Silicon vertical structures Cornigli, Davide; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio; Moens, Pet...er; Vanmeerbeek, Piet; Banerjee, Abhishek; Meneghesso, Gaudenzio 2015-01-01 - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. 4.01 Contributo in Atti di convegno -