ERCOLANO, FRANCO
ERCOLANO, FRANCO
CENTRO RICERCA SISTEMI ELETTRONICI INGEGN.INF. E TELECOM."ERCOLE DE CASTRO"
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GaN HEMT with p-Type Schottky Gate: A Case Study of TCAD Modeling of the Gate Leakage Current
2024 Ercolano F.; Tallarico A.N.; Millesimo M.; Gnani E.; Reggiani S.; Fiegna C.; Borga M.; Posthuma N.; Bakeroot B.
TCAD Modeling of High-Field Electron Transport in Bulk Wurtzite GaN: The Full-Band SHE-BTE
2023 Balestra L.; Ercolano F.; Gnani E.; Reggiani S.
| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
|---|---|---|---|---|---|---|
| GaN HEMT with p-Type Schottky Gate: A Case Study of TCAD Modeling of the Gate Leakage Current | Ercolano F.; Tallarico A.N.; Millesimo M.; Gnani E.; Reggiani S.; Fiegna C.; Borga M.; Posthuma N....; Bakeroot B. | 2024-01-01 | - | Springer Science and Business Media Deutschland GmbH | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| TCAD Modeling of High-Field Electron Transport in Bulk Wurtzite GaN: The Full-Band SHE-BTE | Balestra L.; Ercolano F.; Gnani E.; Reggiani S. | 2023-01-01 | IEEE ACCESS | - | 1.01 Articolo in rivista | TCAD_Modeling_of_High-Field_Electron_Transport_in_Bulk_Wurtzite_GaN_The_Full-Band_SHE-BTE.pdf |