Un esperimento di alto valore didattico e concettuale è l'interferenza di singolo elettrone. A 30 anni dai primi esperimenti in questo campo oggi ci sono le condizioni per ripetere l'esperienza di interferenza (alla Young) da singolo elettrone, utilizzando un microscopio elettronico a trasmissione attrezzato con due fenditure nanometriche e con una matrice di sensori in tecnologia CMOS MAPS. La matrice è parte del chip APSEL4D progettato per la Collaborazione INFN Slim5. Il chip è costituito da 4k pixel, con risoluzione spaziale di 15 µ m e risoluzione temporale di 1 µ s, sensibili alla singola particella al minimo di ionizzazione.

Esperienza di interferenza di singolo elettrone con doppia fenditura e sensore ad alta risoluzione temporale / Balbi G.; Berti R.; Costa A.; Frabboni S.; Gabrielli A.; Gazzadi G.C.; Giorgi F.; Matteucci G.; Patuelli S.; Pozzi G.; Semprini N.; Villa M.; Zoccoli A.. - STAMPA. - (2010), pp. 31-32. (Intervento presentato al convegno Congresso Nazionale della Società Italiana di Fisica tenutosi a Bologna nel 20-24 Settembre 2010).

Esperienza di interferenza di singolo elettrone con doppia fenditura e sensore ad alta risoluzione temporale.

BALBI, GABRIELE;BERTI, RAFFAELE;COSTA, ALBERTO;GABRIELLI, ALESSANDRO;GIORGI, FILIPPO MARIA;MATTEUCCI, GIORGIO;PATUELLI, STEFANO;POZZI, GIULIO;SEMPRINI CESARI, NICOLA;VILLA, MAURO;ZOCCOLI, ANTONIO
2010

Abstract

Un esperimento di alto valore didattico e concettuale è l'interferenza di singolo elettrone. A 30 anni dai primi esperimenti in questo campo oggi ci sono le condizioni per ripetere l'esperienza di interferenza (alla Young) da singolo elettrone, utilizzando un microscopio elettronico a trasmissione attrezzato con due fenditure nanometriche e con una matrice di sensori in tecnologia CMOS MAPS. La matrice è parte del chip APSEL4D progettato per la Collaborazione INFN Slim5. Il chip è costituito da 4k pixel, con risoluzione spaziale di 15 µ m e risoluzione temporale di 1 µ s, sensibili alla singola particella al minimo di ionizzazione.
2010
XCVI Congresso Nazionale
31
32
Esperienza di interferenza di singolo elettrone con doppia fenditura e sensore ad alta risoluzione temporale / Balbi G.; Berti R.; Costa A.; Frabboni S.; Gabrielli A.; Gazzadi G.C.; Giorgi F.; Matteucci G.; Patuelli S.; Pozzi G.; Semprini N.; Villa M.; Zoccoli A.. - STAMPA. - (2010), pp. 31-32. (Intervento presentato al convegno Congresso Nazionale della Società Italiana di Fisica tenutosi a Bologna nel 20-24 Settembre 2010).
Balbi G.; Berti R.; Costa A.; Frabboni S.; Gabrielli A.; Gazzadi G.C.; Giorgi F.; Matteucci G.; Patuelli S.; Pozzi G.; Semprini N.; Villa M.; Zoccoli A.
File in questo prodotto:
Eventuali allegati, non sono esposti

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/91729
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact