Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability / Stoffels S.; Posthuma N.; Decoutere S.; Bakeroot B.; Tallarico A.N.; Sangiorgi E.; Fiegna C.; Zheng J.; Ma X.; Borga M.; Fabris E.; Meneghini M.; Zanoni E.; Meneghesso G.; Priesol J.; Satka A.. - ELETTRONICO. - 2019-:(2019), pp. 8720411.1-8720411.10. (Intervento presentato al convegno 2019 IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2019 tenutosi a usa nel 2019) [10.1109/IRPS.2019.8720411].
Perimeter Driven Transport in the p-GaN Gate as a Limiting Factor for Gate Reliability
Tallarico A. N.;Sangiorgi E.;Fiegna C.;
2019
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