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Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaN–GaN HEMTs / M. Faqira; G. Verzellesi; F. Fantini; F. Danesin; F. Rampazzo; G. Meneghesso;E. Zanoni; A. Cavallini; A. Castaldini; N. Labat ; A. Touboul; C. Dua. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - ELETTRONICO. - 47:(2007), pp. 1639-1642. [10.1016/j.microrel.2007.07.005]

Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaN–GaN HEMTs

CAVALLINI, ANNA;CASTALDINI, ANTONIO;
2007
2007
Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaN–GaN HEMTs / M. Faqira; G. Verzellesi; F. Fantini; F. Danesin; F. Rampazzo; G. Meneghesso;E. Zanoni; A. Cavallini; A. Castaldini; N. Labat ; A. Touboul; C. Dua. - In: MICROELECTRONICS RELIABILITY. - ISSN 0026-2714. - ELETTRONICO. - 47:(2007), pp. 1639-1642. [10.1016/j.microrel.2007.07.005]
M. Faqira; G. Verzellesi; F. Fantini; F. Danesin; F. Rampazzo; G. Meneghesso;E. Zanoni; A. Cavallini; A. Castaldini; N. Labat ; A. Touboul; C. Dua
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