Defect characterization in GaN: Possible influence of dislocations in the yellow-band features / L. Polenta; A.Castaldini; A.Cavallini. - In: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. - ISSN 0021-8979. - STAMPA. - 102:(2007), pp. 063702-1-063702-5. [10.1063/1.2778736]
Defect characterization in GaN: Possible influence of dislocations in the yellow-band features
POLENTA, LAURA;CASTALDINI, ANTONIO;CAVALLINI, ANNA
2007
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