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Deep Levels in 4H Silicon Carbide Epilayers Induced by Neutron-Irradiation up to 1016 n/cm2 / A. Cavallini; A. Castaldini; F. Nava; P. Errani; V. Cindro. - STAMPA. - 911:(2006), pp. B06-01-B06-08. (Intervento presentato al convegno Materials Research Society 2006 Spring Meeting tenutosi a San Francisco, CA nel April 17 - 21, 2006).

Deep Levels in 4H Silicon Carbide Epilayers Induced by Neutron-Irradiation up to 1016 n/cm2

CAVALLINI, ANNA;CASTALDINI, ANTONIO;
2006
2006
Silicon Carbide 2006 — Materials, Processing and Devices
B06-01
B06-08
Deep Levels in 4H Silicon Carbide Epilayers Induced by Neutron-Irradiation up to 1016 n/cm2 / A. Cavallini; A. Castaldini; F. Nava; P. Errani; V. Cindro. - STAMPA. - 911:(2006), pp. B06-01-B06-08. (Intervento presentato al convegno Materials Research Society 2006 Spring Meeting tenutosi a San Francisco, CA nel April 17 - 21, 2006).
A. Cavallini; A. Castaldini; F. Nava; P. Errani; V. Cindro
4.01 Contributo in Atti di convegno
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