L’attività del progetto prosegue il lavoro svolto nelle precedenti collaborazioni bilaterali. Nell’ultima annualità in particolare è stato concluso lo studio di HEMTs basati su (Al)GaN prodotti in NTT, in accordo con lo sviluppo temporale originario del progetto. Durante il 2006 l’attività di ricerca è stata anche rivolta allo sviluppo di nuove collaborazioni con altri gruppi italiani e giapponesi, con particolare riguardo allo studio di nanomateriali di interesse comune ed allo sviluppo di metodologie d’indagine adatte alle nuove tematiche.
HEMT ad alta mobilità e ad altissima larghezza di banda / Salviati G.; Cavallini A.. - (2006).
HEMT ad alta mobilità e ad altissima larghezza di banda
CAVALLINI, ANNA
2006
Abstract
L’attività del progetto prosegue il lavoro svolto nelle precedenti collaborazioni bilaterali. Nell’ultima annualità in particolare è stato concluso lo studio di HEMTs basati su (Al)GaN prodotti in NTT, in accordo con lo sviluppo temporale originario del progetto. Durante il 2006 l’attività di ricerca è stata anche rivolta allo sviluppo di nuove collaborazioni con altri gruppi italiani e giapponesi, con particolare riguardo allo studio di nanomateriali di interesse comune ed allo sviluppo di metodologie d’indagine adatte alle nuove tematiche.File in questo prodotto:
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