In questo progetto si vuole studiare l’attività di ricombinazione dei difetti estesi (dislocazioni, bordi di grano, inversion domain) in GaN attraverso metodi di caratterizzazione strutturale (TEM ad alta risoluzione, olografia elettronica) e spettroscopica (DLTS DeepLevelTransientSpectroscopy, Persistent PhotoCurrent, fotoconducibilità). Finalità del progetto di ricerca è da un lato comprendere la relazione tra struttura atomica e attività opto-elettronica delle dislocazioni e dall’altro analizzare l’influsso delle condizioni di crescita, del drogaggio e della struttura del nucleo delle dislocazioni sulle proprietà ottiche ed elettriche.
Study of the structural, optical and electrical properties of extended defects in GaN
CAVALLINI, ANNA
2004
Abstract
In questo progetto si vuole studiare l’attività di ricombinazione dei difetti estesi (dislocazioni, bordi di grano, inversion domain) in GaN attraverso metodi di caratterizzazione strutturale (TEM ad alta risoluzione, olografia elettronica) e spettroscopica (DLTS DeepLevelTransientSpectroscopy, Persistent PhotoCurrent, fotoconducibilità). Finalità del progetto di ricerca è da un lato comprendere la relazione tra struttura atomica e attività opto-elettronica delle dislocazioni e dall’altro analizzare l’influsso delle condizioni di crescita, del drogaggio e della struttura del nucleo delle dislocazioni sulle proprietà ottiche ed elettriche.I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.
