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Development of an analytical mobility model for the simulation of ultra-thin single- and double-gate SOI MOSFETs / ALESSANDRINI M.; ESSENI D.; FIEGNA C.. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - STAMPA. - 48:(2004), pp. 589-595. [10.1016/j.sse.2003.09.023]

Development of an analytical mobility model for the simulation of ultra-thin single- and double-gate SOI MOSFETs

ESSENI, DAVID;FIEGNA, CLAUDIO
2004
2004
Development of an analytical mobility model for the simulation of ultra-thin single- and double-gate SOI MOSFETs / ALESSANDRINI M.; ESSENI D.; FIEGNA C.. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - STAMPA. - 48:(2004), pp. 589-595. [10.1016/j.sse.2003.09.023]
ALESSANDRINI M.; ESSENI D.; FIEGNA C.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11585/1383
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