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Analysis of strained-silicon-on-insulator double-gate MOS structures / N. Barin; C. Fiegna; E. Sangiorgi. - STAMPA. - (2004), pp. 169-172. (Intervento presentato al convegno 34th European Solid-State Device Research Conference ESSDERC 2004 tenutosi a Leuven Belgium nel 21-23 September 2004).

Analysis of strained-silicon-on-insulator double-gate MOS structures

FIEGNA, CLAUDIO;SANGIORGI, ENRICO
2004
2004
Proceeding of the 34th European Solid-State Device Research Conference ESSDERC 2004
169
172
Analysis of strained-silicon-on-insulator double-gate MOS structures / N. Barin; C. Fiegna; E. Sangiorgi. - STAMPA. - (2004), pp. 169-172. (Intervento presentato al convegno 34th European Solid-State Device Research Conference ESSDERC 2004 tenutosi a Leuven Belgium nel 21-23 September 2004).
N. Barin; C. Fiegna; E. Sangiorgi
4.01 Contributo in Atti di convegno
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