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Experimental validation of a new analytical model for the position-dependent Hall voltage in semiconductor devices / M. Rudan; S. Reggiani; E. Gnani; G. Baccarani; C. Corvasce; D. Barlini; M. Ciappa; W. Fichtner; M. Denison; N. Jensen; G. Groos; M. Stecher. - STAMPA. - (2005). (Intervento presentato al convegno European Solid-State Device Research Conference tenutosi a Grenoble nel 13-15 Settembre 2005).

Experimental validation of a new analytical model for the position-dependent Hall voltage in semiconductor devices

RUDAN, MASSIMO;REGGIANI, SUSANNA;GNANI, ELENA;BACCARANI, GIORGIO;
2005
2005
Proceedings of ESSDERC 2005
Experimental validation of a new analytical model for the position-dependent Hall voltage in semiconductor devices / M. Rudan; S. Reggiani; E. Gnani; G. Baccarani; C. Corvasce; D. Barlini; M. Ciappa; W. Fichtner; M. Denison; N. Jensen; G. Groos; M. Stecher. - STAMPA. - (2005). (Intervento presentato al convegno European Solid-State Device Research Conference tenutosi a Grenoble nel 13-15 Settembre 2005).
M. Rudan; S. Reggiani; E. Gnani; G. Baccarani; C. Corvasce; D. Barlini; M. Ciappa; W. Fichtner; M. Denison; N. Jensen; G. Groos; M. Stecher
4.01 Contributo in Atti di convegno
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