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| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Numerical investigation of the lateral and vertical leakage currents and breakdown regimes in GaN-on-Silicon vertical structures | Cornigli, Davide; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio; Moens, Pet...er; Vanmeerbeek, Piet; Banerjee, Abhishek; Meneghesso, Gaudenzio | 2015-01-01 | - | Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc. | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
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