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Band Calculation for the Hexagonal and FCC Chalcogenide Ge2Sb2Te5 E. Piccinini; F. Buscemi; T. Tsafack; R. Brunetti; M. Rudan; C. Jacoboni 2008-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Monte Carlo simulation of charge transport in amorphous GST E. Piccinini; F. Buscemi; T. Tsafack; R. Brunetti; M. Rudan; C.Jacoboni 2008-01-01 - University of Pardubice 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Investigation of Charge Transport in Amorphous Ge2Sb2Te5 Using the Variable-Range Hopping Model Piccinini E.; Buscemi F.; Tsafack T.; Rudan M.; Brunetti R.; Jacoboni C. 2009-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
A Model for Charge Transport in Amorphous GST Based on a Modified Variable-Range Hopping Process Buscemi F.; Piccinini E.; Brunetti R.; Rudan M.; Jacoboni C. 2009-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Monte Carlo simulation of charge transport in amorphous chalcogenides F. Buscemi; E. Piccinini; R. Brunetti; M. Rudan; C. Jacoboni 2009-01-01 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS - 1.01 Articolo in rivista -
Monte Carlo simulation of charge transport in amorphous chalcogenides Piccinini E.; Buscemi F.; Rudan M.; Brunetti R.; Jacoboni C. 2009-01-01 JOURNAL OF PHYSICS. CONFERENCE SERIES - 4.01 Contributo in Atti di convegno -
A New Hopping Model for Transport in Chalcogenide Glasses Rudan M.; Giovanardi F.; Piccinini E.; Buscemi F.; Brunetti R.; Jacoboni C. 2009-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Modeling of the voltage snap-back in amorphous-GST memory devices M. Rudan; F. Giovanardi; T. Tsafack; F. Xiong; E. Piccinini; F. Buscemi; A. Liao; E. Pop; R. Brunetti; C. Jacoboni 2010-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Current-Driven Monte Carlo Simulation of Conduction in Switching Chalcogenides E. Piccinini; F. Buscemi 2011-01-01 ACTA PHYSICA POLONICA A - 1.01 Articolo in rivista -
Voltage Snapback in Amorphous-GST Memory Devices: Transport Model and Validation M. Rudan; F. Giovanardi; E. Piccinini; F. Buscemi; R. Brunetti; C. Jacoboni 2011-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - 1.01 Articolo in rivista -
Quantum Electronic Trap-to-Band Transitions in Chalcogenides Induced by Electron-Electron Interaction F. Buscemi; E. Piccinini; F. Giovanardi; M. Rudan; R. Brunetti; C. Jacoboni 2011-01-01 - IEEE 2.01 Capitolo / saggio in libro -
Hot-carrier trap-limited transport in switching chalcogenides E. Piccinini; A. Cappelli; F. Buscemi; R. Brunetti; D. Ielmini; M. Rudan; C. Jacoboni 2012-01-01 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS - 1.01 Articolo in rivista -
Diffusion and high-frequency noise of electrons in amorphous semiconductors at low electric fields F. Buscemi; E. Piccinini; M. Rudan; R. Brunetti; C. Jacoboni 2012-01-01 FLUCTUATION AND NOISE LETTERS - 1.01 Articolo in rivista -
Modeling of the oscillation decay in PCM G. Marcolini; F. Giovanardi; M. Rudan; F. Buscemi; E. Piccinini; R. Brunetti; A. Cappelli 2013-01-01 - Micron 4.02 Riassunto (Abstract) -
Simulation of Charge Transport in Ovonic Materials A. Cappelli; E. Piccinini; F. Buscemi; R. Brunetti; M. Rudan; C. Jacoboni 2013-01-01 - - 4.02 Riassunto (Abstract) -
Multilevel modeling for charge transport in Ovonic chalcogenide materials and devices M. Rudan; F. Giovanardi; E. Piccinini; F. Buscemi; R. Brunetti; A. Cappelli; G. Marcolini; C. Jacoboni 2013-01-01 JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
Microscopic Description of the Inter-Trap Transitions in a-Chalcogenides M. Rudan; F. Giovanardi; R. Brunetti; F. Buscemi; G. Marcolini 2013-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Modeling the Dynamic Self-Heating of PCM G. Marcolini; F. Giovanardi; M. Rudan; F. Buscemi; E. Piccinini; R. Brunetti; A. Cappelli 2013-01-01 - - 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Novel 3D random-network model for threshold switching of phase-change memories Enrico Piccinini; Andrea Cappelli; Feng Xiong; Ashkan Behnam; Fabrizio Buscemi; Rossella Brunetti; Massimo Rudan; Eric Pop; Carlo Jacoboni 2013-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Hot-electron conduction in Ovonic materials C. Jacoboni; E. Piccinini; F. Buscemi; A. Cappelli 2013-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
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