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Non-Local Effects in pMOSFET Substrate Hot-Hole Injection Experiments Selmi L.; Sangiorgi E.; Bez R. 1995-01-01 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS - 1.01 Articolo in rivista -
Role of native traps on the tunneling characteristics of ultra-thin (1.5-3 nm) oxides Ghetti A.; Sangiorgi E.; Sorsch T.W.; Kizilyalli I. 1999-01-01 MICROELECTRONIC ENGINEERING - 1.01 Articolo in rivista -
A non-invasive capacitive sensor strip for aerodynamic pressure measurement ZAGNONI M.; GOLFARELLI A.; PROLI P.; CALLEGARI S.; TALAMELLI A.; SANGIORGI E.; TARTAGNI M. 2004-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Aircraft angle of attack and air speed detection by redundant strip pressure sensors CALLEGARI S.; TALAMELLI A.; ZAGNONI M.; GOLFARELLI A.; ROSSI V.; TARTAGNI M.; SANGIORGI E. 2004-01-01 - IEEE Press 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Evaluation of ultra-thin double gate MOSFET for the 45 nm technology node N. Barin;C. Fiegna;D. Esseni;E. Sangiorgi 2004-01-01 - Electrochemical Society 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Fluid dynamic sensor array in printed circuit board technology for aerospace applications ZAGNONI M.; GOLFARELLI A.; PROLI P.; CALLEGARI S.; SANGIORGI E.; TARTAGNI M. 2004-01-01 - World Scientific 4.01 Contributo in Atti di convegno -
An improved semiclassical Monte-Carlo appproach for nano-scale MOSFET simulation P. PALESTRI; S. EMINENTE; D. ESSENI; FIEGNA C.; E. SANGIORGI; L. SELMI 2004-01-01 - K. De Meyer, N. Collaert 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Low field electron mobility in ultra-thin SOI MOSFETs: experimental characterization and theoretical investigation D. Esseni; E. Sangiorgi 2004-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
A Monte-Carlo study of the role of scattering in deca-nanometer MOSFETs P. Palestri; D. Esseni; S. Eminente; C. Fiegna; E. Sangiorgi; L. Selmi 2004-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Enhanced ballisticity in nano-MOSFETs along the ITRS roadmap: A Monte Carlo study S. Eminente; D. Esseni; P. Palestri; C. Fiegna; L. Selmi; E. Sangiorgi 2004-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Analysis of strained-silicon-on-insulator double-gate MOS structures N. Barin; C. Fiegna; E. Sangiorgi 2004-01-01 - R.P. Mertens, C. L. Claeys 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Acquisition system for pressure sensor network GOLFARELLI A.; ZAGNONI M.; PROLI P.; CALLEGARI S.; TALAMELLI A.; SANGIORGI E.; TARTAGNI M. 2004-01-01 - IEEE Press 4.01 Contributo in Atti di convegno -
ULIS 2005 C. Fiegna; E. Sangiorgi 2005-01-01 - ARCES, Università di Bologna 3.02 Curatela -
A non invasive capacitive sensor strip for aerodynamic pressure measurement ZAGNONI M.; GOLFARELLI A.; CALLEGARI S.; TALAMELLI A.; BONORA V.; SANGIORGI E.; TARTAGNI M. 2005-01-01 SENSORS AND ACTUATORS. A, PHYSICAL - 1.01 Articolo in rivista -
Scaling the High-Performance Double-Gate SOI MOSFET down to the 32 nm Technology Node with SiO2-based Gate Stacks N. Barin ; M. Braccioli ; C. Fiegna ; E. Sangiorgi 2005-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
An improved semi-classical Monte-Carlo approach for nano-scale MOSFET simulation P. Palestri; S. Eminente; D. Esseni;C. Fiegna; E. Sangiorgi; L. Selmi 2005-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
A thin film strip for aerodynamic body pressure profile monitoring ZAGNONI M.; ROSSETTI A.; PROLI P.; GOLFARELLI A.; CALLEGARI S.; TALAMELLI A.; SANGIORGI E.; TARTA...GNI M. 2005-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Analysis of Ballistic Transport in MOSFETs along the ITRS Roadmap P.Palestri; S.Eminente; D.Esseni; C.Fiegna; L.Selmi; E.Sangiorgi 2005-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Ballistic effects in advanced MOSFETs along the Roadmap E. Sangiorgi; P. Palestri; S. Eminente; D. Esseni; C. Fiegna; L. Selmi 2005-01-01 - Electrochemical Society Inc. 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Understandig Quasi-Ballistics Trasport in Nano-MOSFETS: Part I Scattering in the Channel and in the Drain Palestri P.; Esseni D.; Eminente S.; Fiegna C.; Sangiorgi E.; Selmi L. 2005-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - 1.01 Articolo in rivista -
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