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Phonon-scattering effects in CNT-FETs with different dimensions and dielectric materials R. Grassi; S. Poli; S. Reggiani; A. Gnudi; M. Rudan; G. Baccarani 2007-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Graphene Nanoribbon FETs for High-Performance Logic Applications: Perspectives and Challenges R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani 2008-01-01 - IEEE Press 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Carbon-based Nanoelectronic Devices for High-Performance Logic Applications R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani 2008-01-01 - CLEUP 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Phonon-scattering effects in CNT-FETs with different dimensions and dielectric materials R. Grassi; S. Poli; S. Reggiani; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani 2008-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
Hierarchical modeling of carbon nanoribbon devices for CNR-FETs engineering R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Cinacchi; G. Baccarani 2008-01-01 - IEEE Press 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Tight-binding and effective mass modeling of armchair carbon nanoribbon FETs R. Grassi; S. Poli; E Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; G. Baccarani 2008-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Simulation Study of Graphene Nanoribbon Tunneling Transistors Including Edge Roughness Effects R. Grassi; A. Gnudi; S. Reggiani; E. Gnani; G. Baccarani 2009-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Graphene-Based High-Performance Nanoelectronic Devices R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani 2009-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
An investigation of performance limits of conventional and tunneling graphene-based transist R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani 2009-01-01 JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
Mode Space Approach for Tight-Binding Transport Simulation in Graphene Nanoribbon FETs R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani 2009-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Tight-binding and effective mass modeling of armchair carbon nanoribbon FETs R. Grassi; S. Poli; E Gnani; A. Gnudi; S. Reggiani; G. Baccarani 2009-01-01 SOLID-STATE ELECTRONICS - 1.01 Articolo in rivista -
Full-Quantum Calculations of Low-Field Channel Mobility in Graphene Nanoribbon FETs Including Acoustic Phonon Scattering and Edge Roughness Effects I. Imperiale; R. Grassi; A. Gnudi; S. Reggiani; E. Gnani; G. Baccarani. 2010-01-01 - s.n 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Mode Space Approach for Tight-Binding Transport Simulation in Graphene Nanoribbon FETs R. Grassi; A. Gnudi; E. Gnani; S. Reggiani; G. Baccarani 2011-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON NANOTECHNOLOGY - 1.01 Articolo in rivista -
Negative differential resistance in short-channel graphene FETs: semianalytical model and simulations R. Grassi; T. Low; A. Gnudi; G. Baccarani 2012-01-01 - s.n 4.02 Riassunto (Abstract) -
Mode space approach for tight-binding transport simulations in graphene nanoribbon field-effect transistors including phonon scattering R. Grassi;A. Gnudi;I. Imperiale;E. Gnani;S. Reggiani;G. Baccarani 2013-01-01 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS - 1.01 Articolo in rivista -
DC and small-signal numerical simulation of graphene base transistor for terahertz operation DI LECCE, Valerio; Grassi, Roberto; Gnudi, Antonio; Gnani, Elena; Reggiani, Susanna; Baccarani, G...iorgio 2013-01-01 - IEEE Computer Society 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Complementary n- and p-type TFETs on the same InAs/Al(0.05)Ga(0.95)Sb platform E. Baravelli;E. Gnani;R. Grassi;A. Gnudi;S. Reggiani;G. Baccarani 2013-01-01 - IEEE Computer Society 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Non-parabolic band effects on the electrical properties of superlattice FETs P. Maiorano;E. Gnani;R. Grassi;A. Gnudi;S. Reggiani;G. Baccarani 2013-01-01 - - 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Optimization of staggered heterojunction p-TFETs for LSTP and LOP applications Baravelli, Emanuele; Gnani, Elena; Grassi, Roberto; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio 2013-01-01 - IEEE 4.01 Contributo in Atti di convegno -
Graphene-Base Heterojunction Transistor: An Attractive Device for Terahertz Operation Valerio Di Lecce;Roberto Grassi;Antonio Gnudi;Elena Gnani;Susanna Reggiani;Giorgio Baccarani 2013-01-01 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES - 1.01 Articolo in rivista -
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