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TCAD analysis of HCS degradation in LDMOS devices under AC stress conditions
2014 Federico, Monti; Susanna, Reggiani; Barone, G.; Elena, Gnani; Antonio, Gnudi; Giorgio, Baccarani; Poli, S.; Chuang, M.-Y.; Tian, W.; Varghese, D.; Wise, R.
Linear drain current degradation of STI-based LDMOS transistors under AC stress conditions
2014 S. Reggiani; F. Monti; G. Barone; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani; S. Poli; M.-Y. Chuang; W. Tian; R. Wise
TCAD analysis of the leakage current and breakdown versus temperature of GaN-on-Silicon vertical structures
2016 Cornigli, Davide; Monti, Federico; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Giorgio
| Titolo | Autore(i) | Anno | Periodico | Editore | Tipo | File |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TCAD analysis of HCS degradation in LDMOS devices under AC stress conditions | Federico, Monti; Susanna, Reggiani; Barone, G.; Elena, Gnani; Antonio, Gnudi; Giorgio, Baccarani;... Poli, S.; Chuang, M.-Y.; Tian, W.; Varghese, D.; Wise, R. | 2014-01-01 | - | - | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| Linear drain current degradation of STI-based LDMOS transistors under AC stress conditions | S. Reggiani; F. Monti; G. Barone; E. Gnani; A. Gnudi; G. Baccarani; S. Poli; M.-Y. Chuang; W. Tia...n; R. Wise | 2014-01-01 | - | - | 4.01 Contributo in Atti di convegno | - |
| TCAD analysis of the leakage current and breakdown versus temperature of GaN-on-Silicon vertical structures | Cornigli, Davide; Monti, Federico; Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Gnudi, Antonio; Baccarani, Gi...orgio | 2016-01-01 | SOLID-STATE ELECTRONICS | - | 1.01 Articolo in rivista | - |
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